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    氮化硅磚的物理性質：以Si3N4為主要成分的特殊耐火材料制品。密度3.19g/cm3。膨脹系數小，為2.53×10-6/℃。1200℃下導熱率18.4W/(m·K)。熱穩定性好，1200～2000℃熱交換上千次不破壞。抗折強度可達200～700MPa，耐氧化溫度1400℃，在還原氣氛中可達1870℃。室溫電阻率1.1×1014Ω·m。采用硅粉氮化后燒結或熱壓方法制取。用于航空、冶金、機械、半導體等工業中制造高溫軸承、冶金坩堝、半導體區域熔煉舟器等。